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由于拐點(diǎn)電流已被人為地規(guī)定了下來，因此壓敏電壓UN一般用更直觀的符號(hào)－U1mA或U0.1mA－表示，就更加方便，目前幾乎所有的壓敏電阻生產(chǎn)商都使用U1mA或U0.1mA來表示壓敏電壓。  從上面對(duì)壓敏電壓的定義上看，“壓敏電壓”一詞已完全失去了其原有的拐點(diǎn)的含義。這是電子測(cè)量學(xué)和標(biāo)準(zhǔn)化與壓敏電壓的真實(shí)含義之間相互妥協(xié)的結(jié)果。多年的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)表明：IEC定義的壓敏電壓與實(shí)際拐點(diǎn)電壓雖然在數(shù)值上不相等，但在大多數(shù)情況下也比較相近，IEC定義的壓敏電壓可視為拐點(diǎn)電壓的近似值。在判定產(chǎn)品的壓敏電壓是否合格時(shí)，我們只能使用IEC的規(guī)定的方法，而不能使用測(cè)量實(shí)際拐點(diǎn)電壓的方法（如晶體管圖示儀測(cè)量法）。

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ZnO壓敏電阻實(shí)際上是一種伏安特性呈非線性的敏感元件，在正常電壓條件下，這相當(dāng)于一只小電容器，而當(dāng)電路出現(xiàn)過電壓時(shí)，它的內(nèi)阻急劇下降并迅速導(dǎo)通，其工作電流增加幾個(gè)數(shù)量級(jí)，從而有效地保護(hù)了電路中的其它元器件不致過壓而損壞，它的伏安特性是對(duì)稱的，如圖(1)a 所示。這種元件是利用陶瓷工藝制成的，它的內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)如圖(1)b 所示。微觀結(jié)構(gòu)中包括氧化鋅晶粒以及晶粒周圍的晶界層。氧化鋅晶粒的電阻率很低，而晶界層的電阻率卻很高，相接觸的兩個(gè)晶粒之間形成了一個(gè)相當(dāng)于齊納二極管的勢(shì)壘，這就是一壓敏電阻單元，每個(gè)單元擊穿電壓大約為3.5V，如果將許多的這種單元加以串聯(lián)和并聯(lián)就構(gòu)成了壓敏電阻的基體。串聯(lián)的單元越多，其擊穿電壓就超高，基片的橫截面積越大，其通流容量也越大。壓敏電阻在工作時(shí)，每個(gè)壓敏電阻單元都在承受浪涌電能量，而不象齊納二極管那樣只是結(jié)區(qū)承受電功率，這就是壓敏電阻為什么比齊納二極管能承受大得多的電能量的原因。

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